TPH4R008NH1, LQ(M
IC
SOP
可供量大可议
TPH4R008NH1, LQ(M
特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 18 nC（典型值）。 小输出电荷：QSS = 77 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 80 V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。 应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
SOP
库存
3,370
货期
现货
TPH4R008NH1, LQ(M参数
| 封装 | SOP |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3370 |
TPH4R008NH1, LQ(M概述
特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 18 nC（典型值）。 小输出电荷：QSS = 77 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 80 V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。 应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
TPH4R008NH1, LQ(M特性
暂无产品特性。
TPH4R008NH1, LQ(M应用领域
暂无应用领域。