TPH4R008NH, L1Q(M
IC
SOP-8-Advance
可供量大可议
TPH4R008NH, L1Q(M
特性：小尺寸、薄封装。 高速开关。 小栅极电荷：Q_SW = 18 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流：I_HSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 80 V)。 增强模式：V_TH = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。 应用：DC-DC 转换器。 开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
SOP-8-Advance
库存
3,692
货期
现货
TPH4R008NH, L1Q(M参数
| 封装 | SOP-8-Advance |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3692 |
TPH4R008NH, L1Q(M概述
特性：小尺寸、薄封装。 高速开关。 小栅极电荷：Q_SW = 18 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流：I_HSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 80 V)。 增强模式：V_TH = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。 应用：DC-DC 转换器。 开关稳压器
TPH4R008NH, L1Q(M特性
暂无产品特性。
TPH4R008NH, L1Q(M应用领域
暂无应用领域。