TPH2R506PL, L1Q
IC
SOPAdvance-8(5x5)
可供量大可议
TPH2R506PL, L1Q
特性：高速开关。 小栅极电荷：Qsw = 19 nC (典型值)。 小输出电荷：QBS = 51 nC (典型值)。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9 mΩ (典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA (最大值)(VDS = 60 V)。 增强模式：Vth = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。 应用：高效DC-DC转换器。 开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
SOPAdvance-8(5x5)
库存
128
货期
现货
TPH2R506PL, L1Q参数
| 封装 | SOPAdvance-8(5x5) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 128 |
TPH2R506PL, L1Q概述
特性：高速开关。 小栅极电荷：Qsw = 19 nC (典型值)。 小输出电荷：QBS = 51 nC (典型值)。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9 mΩ (典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA (最大值)(VDS = 60 V)。 增强模式：Vth = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。 应用：高效DC-DC转换器。 开关稳压器
TPH2R506PL, L1Q特性
暂无产品特性。
TPH2R506PL, L1Q应用领域
暂无应用领域。