TPH2R306NH, L1Q
IC
VDFN-8(5x5)
可供量大可议
TPH2R306NH, L1Q
特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 26 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 60 V)。 增强模式：VDM = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。 应用：DC-DC 转换器。 开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
VDFN-8(5x5)
库存
4
货期
现货
TPH2R306NH, L1Q参数
| 封装 | VDFN-8(5x5) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
TPH2R306NH, L1Q概述
特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 26 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 60 V)。 增强模式：VDM = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。 应用：DC-DC 转换器。 开关稳压器
TPH2R306NH, L1Q特性
暂无产品特性。
TPH2R306NH, L1Q应用领域
暂无应用领域。