TPH1R712MD, L1Q
IC
SOP-8
可供量大可议
TPH1R712MD, L1Q
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.35mΩ（典型值）(VGS = -4.5V)。 低泄漏电流：IRSS = -10μA（最大值）(VDS = -20V)。 增强模式：VDA = -0.5 至 -1.2V (VDS = -10V, ID = -1.0 mA)。 应用：锂离子二次电池电源管理开关
品牌
TOSHIBA
封装
SOP-8
库存
2,737
货期
现货
TPH1R712MD, L1Q参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2737 |
TPH1R712MD, L1Q概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.35mΩ（典型值）(VGS = -4.5V)。 低泄漏电流：IRSS = -10μA（最大值）(VDS = -20V)。 增强模式：VDA = -0.5 至 -1.2V (VDS = -10V, ID = -1.0 mA)。 应用：锂离子二次电池电源管理开关
TPH1R712MD, L1Q特性
暂无产品特性。
TPH1R712MD, L1Q应用领域
暂无应用领域。