TPH1R306PL, L1Q(M
IC
SOP-8
可供量大可议
TPH1R306PL, L1Q(M
特性：QSW = 22nC（标准）。 QSS = 77.5nC（标准）。 RDS(ON) = 1.0mΩ（标准）（VGS = 10V）。 IDS = 10μA， VDS = 60V。 Vth = 1.5~2.5V（ID = 1.0mA）
品牌
TOSHIBA
封装
SOP-8
库存
5
货期
现货
TPH1R306PL, L1Q(M参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
TPH1R306PL, L1Q(M概述
特性：QSW = 22nC（标准）。 QSS = 77.5nC（标准）。 RDS(ON) = 1.0mΩ（标准）（VGS = 10V）。 IDS = 10μA， VDS = 60V。 Vth = 1.5~2.5V（ID = 1.0mA）
TPH1R306PL, L1Q(M特性
暂无产品特性。
TPH1R306PL, L1Q(M应用领域
暂无应用领域。