TPH1400ANH,L1Q(M
自营可供
IC
SOP-8-EP-5.0mm
TPH1400ANH,L1Q(M
Power MOSFET (N-ch single
品牌
TOSHIBA
封装
SOP-8-EP-5.0mm
交期
现货
批次
26+
TPH1400ANH,L1Q(M参数
| 封装 | SOP-8-EP-5.0mm |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.6mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | N沟道 耐压:100V 电流:42A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5,091 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
| 商品型号 | TPH1400ANH, L1Q(M |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000257172 |
TPH1400ANH,L1Q(M概述
Power MOSFET (N-ch single
TPH1400ANH,L1Q(M特性
- 小型薄封装
- 高速开关
- 小栅极电荷:QSW = 9.4 nC(典型值)
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 11.3 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)
- 增强型:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)
TPH1400ANH,L1Q(M应用领域
- 直流-直流转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器