TPH1400ANH, L1Q(M
IC
SOP-8-EP-5.0mm
可供量大可议
TPH1400ANH, L1Q(M
特性：小型、薄型封装。 高速开关。 小栅极电荷：Q_SW = 9.4 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 11.3 mΩ（典型值） (V_GS = 10 V)。 低泄漏电流：I_HSS = 10 μA（最大值） (V_DS = 100 V)。 增强模式：V_th = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。 应用：DC-DC 转换器。 开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
SOP-8-EP-5.0mm
库存
3,609
货期
现货
TPH1400ANH, L1Q(M参数
| 封装 | SOP-8-EP-5.0mm |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3609 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.6mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF |
| 类型 | N沟道 |
TPH1400ANH, L1Q(M概述
Power MOSFET (N-ch single
TPH1400ANH, L1Q(M特性
暂无产品特性。
TPH1400ANH, L1Q(M应用领域
暂无应用领域。