TPH11006NL, LQ(S
IC
2-5Q1S
可供量大可议
TPH11006NL, LQ(S
特性：高速开关。 小栅极电荷：Qsw = 6.4 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 9.6 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IRSS = 10 μA（最大值）(VDS = 60V)。 增强模式：Vth = 1.5 至 2.5V (VDS = 10V, ID = 0.2 mA)。 应用：开关稳压器。 DC-DC 转换器
Brand
TOSHIBA
Package
2-5Q1S
Stock
1
货期
现货
TPH11006NL, LQ(SParameters
| 封装 | 2-5Q1S |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
TPH11006NL, LQ(S概述
特性：高速开关。 小栅极电荷：Qsw = 6.4 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 9.6 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IRSS = 10 μA（最大值）(VDS = 60V)。 增强模式：Vth = 1.5 至 2.5V (VDS = 10V, ID = 0.2 mA)。 应用：开关稳压器。 DC-DC 转换器
TPH11006NL, LQ(S特性
暂无产品特性。
TPH11006NL, LQ(S应用领域
暂无应用领域。