TPESDHC2FD4V5BH
IC
DFN1006-2
可供量大可议
TPESDHC2FD4V5BH
特性：低工作电压：±4.5V。 超低电容：典型值60pF。 超低泄漏：nA级别。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 符合以下标准: IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±30kV 接触放电：±30kV。 应用：手机及配件。 个人数字助理
品牌
TECH PUBLIC
封装
DFN1006-2
库存
3,140
货期
现货
TPESDHC2FD4V5BH参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 3140 |
TPESDHC2FD4V5BH概述
特性：低工作电压：±4.5V。 超低电容：典型值60pF。 超低泄漏：nA级别。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 符合以下标准: IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±30kV 接触放电：±30kV。 应用：手机及配件。 个人数字助理
TPESDHC2FD4V5BH特性
暂无产品特性。
TPESDHC2FD4V5BH应用领域
暂无应用领域。