TPESD8LS5.0CT5G
IC
DFN1006-2
可供量大可议
TPESD8LS5.0CT5G
特性：超小封装：1.0 x 0.6 x 0.5mm。 超低电容：0.35pF（典型值）。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：±5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 应用：智能手机。 显示端口
品牌
TECH PUBLIC
封装
DFN1006-2
库存
400
货期
现货
TPESD8LS5.0CT5G参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 400 |
TPESD8LS5.0CT5G概述
特性：超小封装：1.0 x 0.6 x 0.5mm。 超低电容：0.35pF（典型值）。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：±5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 应用：智能手机。 显示端口
TPESD8LS5.0CT5G特性
暂无产品特性。
TPESD8LS5.0CT5G应用领域
暂无应用领域。