TPESD3636P
IC
DFN2510-10
可供量大可议
TPESD3636P
特性：超低电容：典型值0.25 pF（I/O到I/O）。 超低泄漏：纳安级别。 击穿电压：最低5.5 V。 低钳位电压。 符合以下标准：IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±20 kV 接触放电：±15 kV。 IEC 61000-4-4（EFT）80 A（5/50 ns）。 应用：终端设备。 笔记本电脑和台式机
品牌
TECH PUBLIC
封装
DFN2510-10
库存
3,010
货期
现货
TPESD3636P参数
| 封装 | DFN2510-10 |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 3010 |
TPESD3636P概述
特性：超低电容：典型值0.25 pF（I/O到I/O）。 超低泄漏：纳安级别。 击穿电压：最低5.5 V。 低钳位电压。 符合以下标准：IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±20 kV 接触放电：±15 kV。 IEC 61000-4-4（EFT）80 A（5/50 ns）。 应用：终端设备。 笔记本电脑和台式机
TPESD3636P特性
暂无产品特性。
TPESD3636P应用领域
暂无应用领域。