TPESD101-B1-02ELS
IC
DFN0603-2
可供量大可议
TPESD101-B1-02ELS
特性：超低电容：典型值0.18 pF（I/O到地）。 超低泄漏：纳安级别。 击穿电压：典型值6.4 V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±20 kV 接触放电：±15 kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）80 A（5/50 ns）。 应用：USB Type-C。 Thunderbolt 3
品牌
TECH PUBLIC
封装
DFN0603-2
库存
5,970
货期
现货
TPESD101-B1-02ELS参数
| 封装 | DFN0603-2 |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 5970 |
TPESD101-B1-02ELS概述
特性：超低电容：典型值0.18 pF（I/O到地）。 超低泄漏：纳安级别。 击穿电压：典型值6.4 V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±20 kV 接触放电：±15 kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）80 A（5/50 ns）。 应用：USB Type-C。 Thunderbolt 3
TPESD101-B1-02ELS特性
暂无产品特性。
TPESD101-B1-02ELS应用领域
暂无应用领域。