TPESD03L2P
IC
DFN1006-2
可供量大可议
TPESD03L2P
特性：低工作电压：3.3V。 超低电容：0.35pF（典型值）。 超低泄漏：nA级别。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±30kV 接触放电：±30kV。 IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 应用：手机及配件。 个人数字助理
品牌
TECH PUBLIC
封装
DFN1006-2
库存
5,980
货期
现货
TPESD03L2P参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 5980 |
TPESD03L2P概述
特性：低工作电压：3.3V。 超低电容：0.35pF（典型值）。 超低泄漏：nA级别。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±30kV 接触放电：±30kV。 IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 应用：手机及配件。 个人数字助理
TPESD03L2P特性
暂无产品特性。
TPESD03L2P应用领域
暂无应用领域。