TPDESD3V3S1BL
IC
DFN1006-2
可供量大可议
TPDESD3V3S1BL
特性：超小封装：1.0x0.6x0.5mm。 超低电容：15pF（典型值）。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：±3.3V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 应用：手机及配件。 个人数字助理
品牌
TECH PUBLIC
封装
DFN1006-2
库存
6,920
货期
现货
TPDESD3V3S1BL参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 6920 |
TPDESD3V3S1BL概述
特性：超小封装：1.0x0.6x0.5mm。 超低电容：15pF（典型值）。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：±3.3V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 应用：手机及配件。 个人数字助理
TPDESD3V3S1BL特性
暂无产品特性。
TPDESD3V3S1BL应用领域
暂无应用领域。