TPD70R1K5M
IC
TO-252-2
可供量大可议
TPD70R1K5M
超结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术, 它是根据超结(SJ)原理设计的。 超结MOSFET是一款性价比优化的产品, 适用于消费和照明市场中对成本敏感的应用。
品牌
无锡紫光微
封装
TO-252-2
库存
36
货期
现货
TPD70R1K5M参数
| 封装 | TO-252-2 |
|---|---|
| 品牌 | 无锡紫光微 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 36 |
TPD70R1K5M概述
超结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术, 它是根据超结(SJ)原理设计的。 超结MOSFET是一款性价比优化的产品, 适用于消费和照明市场中对成本敏感的应用。
TPD70R1K5M特性
暂无产品特性。
TPD70R1K5M应用领域
暂无应用领域。
