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TPD70R1K5M
IC

TO-252-2

可供量大可议

TPD70R1K5M

超结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术, 它是根据超结(SJ)原理设计的。 超结MOSFET是一款性价比优化的产品, 适用于消费和照明市场中对成本敏感的应用。

品牌

无锡紫光微

封装

TO-252-2

库存

36

货期

现货

TPD70R1K5M参数

封装TO-252-2
品牌无锡紫光微
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存36

TPD70R1K5M概述

超结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术, 它是根据超结(SJ)原理设计的。 超结MOSFET是一款性价比优化的产品, 适用于消费和照明市场中对成本敏感的应用。

TPD70R1K5M特性

暂无产品特性。

TPD70R1K5M应用领域

暂无应用领域。

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