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TPD65R380D
IC

TO-252

可供量大可议

TPD65R380D

超结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术, 它是根据超结(SJ)原理设计的。 深沟槽超结MOSFET是一款开关损耗、通信损耗和传导损耗极低的器件, 具有极高的鲁棒性, 尤其能使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便且散热良好。

品牌

无锡紫光微

封装

TO-252

库存

13

货期

现货

TPD65R380D参数

封装TO-252
品牌无锡紫光微
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存13

TPD65R380D概述

超结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术, 它是根据超结(SJ)原理设计的。 深沟槽超结MOSFET是一款开关损耗、通信损耗和传导损耗极低的器件, 具有极高的鲁棒性, 尤其能使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便且散热良好。

TPD65R380D特性

暂无产品特性。

TPD65R380D应用领域

暂无应用领域。

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