TPD65R380D
IC
TO-252
可供量大可议
TPD65R380D
超结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术, 它是根据超结(SJ)原理设计的。 深沟槽超结MOSFET是一款开关损耗、通信损耗和传导损耗极低的器件, 具有极高的鲁棒性, 尤其能使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便且散热良好。
品牌
无锡紫光微
封装
TO-252
库存
13
货期
现货
TPD65R380D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | 无锡紫光微 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13 |
TPD65R380D概述
超结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术, 它是根据超结(SJ)原理设计的。 深沟槽超结MOSFET是一款开关损耗、通信损耗和传导损耗极低的器件, 具有极高的鲁棒性, 尤其能使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便且散热良好。
TPD65R380D特性
暂无产品特性。
TPD65R380D应用领域
暂无应用领域。
