TPD4S010DQAR-N
IC
DFN-10(2.5x1.0)
可供量大可议
TPD4S010DQAR-N
特性：45瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容 (Cj = 0.35pF 典型值， I/O 到 I/O)。 应用：USB3.0。 USB2.0
品牌
BORN
封装
DFN-10(2.5x1.0)
库存
4,750
货期
现货
TPD4S010DQAR-N参数
| 封装 | DFN-10(2.5x1.0) |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 4750 |
TPD4S010DQAR-N概述
特性：45瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容 (Cj = 0.35pF 典型值， I/O 到 I/O)。 应用：USB3.0。 USB2.0
TPD4S010DQAR-N特性
暂无产品特性。
TPD4S010DQAR-N应用领域
暂无应用领域。