TPD4EUSB30DQAR-N
IC
DFN-10(2.5x1.0)
可供量大可议
TPD4EUSB30DQAR-N
特性：60 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Cj = 0.3pF 典型值， I/O 到 I/O）。 应用：USB3.0、USB2.0、以太网。 HDMI 2.0、Displayport 1.3、eSATA
品牌
BORN
封装
DFN-10(2.5x1.0)
库存
18,920
货期
现货
TPD4EUSB30DQAR-N参数
| 封装 | DFN-10(2.5x1.0) |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 18920 |
TPD4EUSB30DQAR-N概述
特性：60 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Cj = 0.3pF 典型值， I/O 到 I/O）。 应用：USB3.0、USB2.0、以太网。 HDMI 2.0、Displayport 1.3、eSATA
TPD4EUSB30DQAR-N特性
暂无产品特性。
TPD4EUSB30DQAR-N应用领域
暂无应用领域。