TPD4EUSB30DQAR-MS
IC
DFN2510-10
可供量大可议
TPD4EUSB30DQAR-MS
ESD管 峰值脉冲功率（tp=8/20μs）(PPP):60W 峰值脉冲电流（IPP）:4A 峰值反向工作电压(VRWM):5V 击穿电压(VBR):6V 钳位电压（VC）:15V 结电容（CJ):0.2PF
品牌
MSKSEMI
封装
DFN2510-10
库存
2,840
货期
现货
TPD4EUSB30DQAR-MS参数
| 封装 | DFN2510-10 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2840 |
TPD4EUSB30DQAR-MS概述
ESD管 峰值脉冲功率（tp=8/20μs）(PPP):60W 峰值脉冲电流（IPP）:4A 峰值反向工作电压(VRWM):5V 击穿电压(VBR):6V 钳位电压（VC）:15V 结电容（CJ):0.2PF
TPD4EUSB30DQAR-MS特性
暂无产品特性。
TPD4EUSB30DQAR-MS应用领域
暂无应用领域。