TPD4E1U06DCKR-TP
IC
SOT-363
可供量大可议
TPD4E1U06DCKR-TP
特性：超低电容：典型值 I/O 到地为 0.6pF。 超低泄漏：纳安级别。 低工作电压：5.5V。 单向 TVS 二极管阵列。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±20kV 接触放电：±15kV。 应用：血糖仪。 平板电脑
品牌
TECH PUBLIC
封装
SOT-363
库存
2,500
货期
现货
TPD4E1U06DCKR-TP参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2500 |
TPD4E1U06DCKR-TP概述
特性：超低电容：典型值 I/O 到地为 0.6pF。 超低泄漏：纳安级别。 低工作电压：5.5V。 单向 TVS 二极管阵列。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±20kV 接触放电：±15kV。 应用：血糖仪。 平板电脑
TPD4E1U06DCKR-TP特性
暂无产品特性。
TPD4E1U06DCKR-TP应用领域
暂无应用领域。