TPD4E1B06DRLR-TP
IC
SOT-563
可供量大可议
TPD4E1B06DRLR-TP
特性：低工作电压：5V。 超低电容：0.6pF（典型值）。 超低泄漏：nA级别。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±20kV 接触放电：±18kV。 IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 应用：计算机及外围设备。 便携式电子设备
品牌
TECH PUBLIC
封装
SOT-563
库存
1,350
货期
现货
TPD4E1B06DRLR-TP参数
| 封装 | SOT-563 |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 1350 |
TPD4E1B06DRLR-TP概述
特性：低工作电压：5V。 超低电容：0.6pF（典型值）。 超低泄漏：nA级别。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±20kV 接触放电：±18kV。 IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 应用：计算机及外围设备。 便携式电子设备
TPD4E1B06DRLR-TP特性
暂无产品特性。
TPD4E1B06DRLR-TP应用领域
暂无应用领域。