TPD4E1B06DCKR-TP
IC
SOT-363
可供量大可议
TPD4E1B06DCKR-TP
特性：超低电容：典型值0.6pF（I/O到GND）。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5.5V。 双向TVS二极管阵列。 低钳位电压。 4条I/O线瞬态保护。 应用：血糖仪。 平板电脑
品牌
TECH PUBLIC
封装
SOT-363
库存
4,695
货期
现货
TPD4E1B06DCKR-TP参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 4695 |
TPD4E1B06DCKR-TP概述
特性：超低电容：典型值0.6pF（I/O到GND）。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5.5V。 双向TVS二极管阵列。 低钳位电压。 4条I/O线瞬态保护。 应用：血糖仪。 平板电脑
TPD4E1B06DCKR-TP特性
暂无产品特性。
TPD4E1B06DCKR-TP应用领域
暂无应用领域。