TPD4E001DRLR-N
IC
SOT-563
可供量大可议
TPD4E001DRLR-N
特性：60瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 SOT563封装。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Cj = 0.25pF， 典型值）。 应用：以太网。 数字视频接口（DVI）
品牌
BORN
封装
SOT-563
库存
2,940
货期
现货
TPD4E001DRLR-N参数
| 封装 | SOT-563 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2940 |
TPD4E001DRLR-N概述
特性：60瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 SOT563封装。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Cj = 0.25pF， 典型值）。 应用：以太网。 数字视频接口（DVI）
TPD4E001DRLR-N特性
暂无产品特性。
TPD4E001DRLR-N应用领域
暂无应用领域。