TPD4E001DBVR-MS
IC
SOT-23-6
可供量大可议
TPD4E001DBVR-MS
特性：150W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 SOT-23-6 封装。 固态硅雪崩技术。 低箝位电压。 低漏电流。 低电容 (Cj = 0.3pF 典型值， IO 到 IO)。 应用：以太网。 数字视频接口 (DVI)
Brand
MSKSEMI
Package
SOT-23-6
Stock
910
货期
现货
TPD4E001DBVR-MSParameters
| 封装 | SOT-23-6 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 910 |
TPD4E001DBVR-MS概述
特性：150W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 SOT-23-6 封装。 固态硅雪崩技术。 低箝位电压。 低漏电流。 低电容 (Cj = 0.3pF 典型值， IO 到 IO)。 应用：以太网。 数字视频接口 (DVI)
TPD4E001DBVR-MS特性
暂无产品特性。
TPD4E001DBVR-MS应用领域
暂无应用领域。