TPD2EUSB30DRTR-N
IC
SOT-9X3
可供量大可议
TPD2EUSB30DRTR-N
特性：56 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±25kV， 接触放电 ±20kV。 应用：数字电视。 机顶盒和数字电视
品牌
BORN
封装
SOT-9X3
库存
65
货期
现货
TPD2EUSB30DRTR-N参数
| 封装 | SOT-9X3 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 65 |
TPD2EUSB30DRTR-N概述
特性：56 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±25kV， 接触放电 ±20kV。 应用：数字电视。 机顶盒和数字电视
TPD2EUSB30DRTR-N特性
暂无产品特性。
TPD2EUSB30DRTR-N应用领域
暂无应用领域。