TPD2EUSB30ADRTR-N
IC
SOT-723
可供量大可议
TPD2EUSB30ADRTR-N
特性：56W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试：空气放电 ±25KV， 接触放电 ±20KV。 应用：数字电视。 机顶盒和数字电视
品牌
BORN
封装
SOT-723
库存
115
货期
现货
TPD2EUSB30ADRTR-N参数
| 封装 | SOT-723 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 115 |
TPD2EUSB30ADRTR-N概述
特性：56W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试：空气放电 ±25KV， 接触放电 ±20KV。 应用：数字电视。 机顶盒和数字电视
TPD2EUSB30ADRTR-N特性
暂无产品特性。
TPD2EUSB30ADRTR-N应用领域
暂无应用领域。