TPD2E001DZDR-N
IC
SOT-143
可供量大可议
TPD2E001DZDR-N
特性：45W峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型SOT143封装。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：USB2.0。 以太网
品牌
BORN
封装
SOT-143
库存
4,000
货期
现货
TPD2E001DZDR-N参数
| 封装 | SOT-143 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 4000 |
TPD2E001DZDR-N概述
特性：45W峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型SOT143封装。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：USB2.0。 以太网
TPD2E001DZDR-N特性
暂无产品特性。
TPD2E001DZDR-N应用领域
暂无应用领域。