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TPD1E1B04DPYR
自营可供
IC

X1-SON-2(0.6x1)

TPD1E1B04DPYR

瞬态抑制二极管

品牌

TI

封装

X1-SON-2(0.6x1)

交期

现货

批次

26+

TPD1E1B04DPYR参数

封装X1-SON-2(0.6x1)
品牌TI(德州仪器)
批次26+
极性双向
钳位电压14V
击穿电压(VBR)4.2V
通道数单路
防护等级IEC 61000-4-4; IEC 61000-4-5; IEC 61000-4-2
Cj-结电容0.45pF
商品型号TPD1E1B04DPYR
包装方式编带
商品类型静电和浪涌保护(TVS/ESD)
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存11,616
MOQ / SPQ1 / 1
反向工作电压(Vrwm)3.3V
峰值脉冲功率(Ppp)56W@8/20us
反向漏电流(Ir)100nA
工作温度-55℃~+125℃
类型ESD
商品名称ESD 3.3V截止
封装DFN1006-2
单位个
商品重量7e-06

TPD1E1B04DPYR概述

瞬态抑制二极管

TPD1E1B04DPYR特性

  • 超低漏电流:纳安级
  • 工作电压:3.3 V
  • 低钳位电压
  • 符合以下标准:
  • IEC 61000-4-2(静电放电)抗扰度测试 空气放电:±25 kV 接触放电:±20 kV
  • IEC 61000-4-4(电快速瞬变脉冲群)40A(5/50ns)
  • IEC 61000-4-5(浪涌)4A(8/20 μs)
  • 符合 RoHS 标准

TPD1E1B04DPYR应用领域

  • USB 2.0 电源线和数据线
  • 机顶盒和数字电视
  • 数字视频接口(DVI)
  • 笔记本电脑
  • SIM 卡端口
  • 10/100 以太网

商务邮箱 / Email

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