TPD1E1B04DPYR-MS
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
TPD1E1B04DPYR-MS
TPD1E1B04DPYR-MS可保护敏感半导体元件， 使其免受静电放电（ESD）及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障影响。 它们具有大截面积结， 可传导高瞬态电流， 具备适用于电路板级保护的电气特性， 如响应时间快、工作电压低等。 在不适合使用阵列的应用中， 它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性
品牌
MSKSEMI
封装
DFN1006-2L
库存
3,080
货期
现货
TPD1E1B04DPYR-MS参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 3080 |
TPD1E1B04DPYR-MS概述
TPD1E1B04DPYR-MS可保护敏感半导体元件， 使其免受静电放电（ESD）及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障影响。 它们具有大截面积结， 可传导高瞬态电流， 具备适用于电路板级保护的电气特性， 如响应时间快、工作电压低等。 在不适合使用阵列的应用中， 它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性
TPD1E1B04DPYR-MS特性
暂无产品特性。
TPD1E1B04DPYR-MS应用领域
暂无应用领域。