TPD1E10B09QDPYRQ1
IC
DFN1006-2
可供量大可议
TPD1E10B09QDPYRQ1
特性：小尺寸外形。 低外形高度。 8 x 20 μs脉冲下峰值功率高达80 W。 低泄漏。 响应时间通常 < 1 ns。 人体模型3级（>16 kV）ESD等级。 应用：手机及配件。 个人数字助理
品牌
Leiditech
封装
DFN1006-2
库存
140
货期
现货
TPD1E10B09QDPYRQ1参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | Leiditech(雷卯电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 140 |
TPD1E10B09QDPYRQ1概述
特性：小尺寸外形。 低外形高度。 8 x 20 μs脉冲下峰值功率高达80 W。 低泄漏。 响应时间通常 < 1 ns。 人体模型3级（>16 kV）ESD等级。 应用：手机及配件。 个人数字助理
TPD1E10B09QDPYRQ1特性
暂无产品特性。
TPD1E10B09QDPYRQ1应用领域
暂无应用领域。