TPD1E05U06DPYR-N
IC
DFN1006-2
可供量大可议
TPD1E05U06DPYR-N
特性：45W 峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型 DFN1006 封装。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Cj = 0.7pF 典型值）。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
品牌
BORN
封装
DFN1006-2
库存
9,960
货期
现货
TPD1E05U06DPYR-N参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 9960 |
TPD1E05U06DPYR-N概述
特性：45W 峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型 DFN1006 封装。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Cj = 0.7pF 典型值）。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
TPD1E05U06DPYR-N特性
暂无产品特性。
TPD1E05U06DPYR-N应用领域
暂无应用领域。