TPD1E05U06DPYR(UMW)
IC
X1-SON-2(0.6x1)
可供量大可议
TPD1E05U06DPYR(UMW)
特性：45W 峰值脉冲功率（脉冲时间 tp = 8 / 20μs）。 微型 X1SON-2 封装。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（典型值 Cj = 0.7pF）。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
品牌
UMW
封装
X1-SON-2(0.6x1)
库存
14,540
货期
现货
TPD1E05U06DPYR(UMW)参数
| 封装 | X1-SON-2(0.6x1) |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 14540 |
TPD1E05U06DPYR(UMW)概述
特性：45W 峰值脉冲功率（脉冲时间 tp = 8 / 20μs）。 微型 X1SON-2 封装。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（典型值 Cj = 0.7pF）。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
TPD1E05U06DPYR(UMW)特性
暂无产品特性。
TPD1E05U06DPYR(UMW)应用领域
暂无应用领域。