TPD1E01B04DPYR-TP
IC
X2-SON-2(0.3x0.6)
可供量大可议
TPD1E01B04DPYR-TP
特性：超低电容：典型值为0.25 pF（I/O到地）。 超低泄漏：纳安级别。 击穿电压：典型值为6.4 V。 低钳位电压。 符合以下标准：IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±20kV， 接触放电 ±15kV。 IEC61000-4-4（EFT）80A（5/50ns）。 应用：USB Type-C。 Thunderbolt 3
品牌
TECH PUBLIC
封装
X2-SON-2(0.3x0.6)
库存
7,540
货期
现货
TPD1E01B04DPYR-TP参数
| 封装 | X2-SON-2(0.3x0.6) |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 7540 |
TPD1E01B04DPYR-TP概述
特性：超低电容：典型值为0.25 pF（I/O到地）。 超低泄漏：纳安级别。 击穿电压：典型值为6.4 V。 低钳位电压。 符合以下标准：IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±20kV， 接触放电 ±15kV。 IEC61000-4-4（EFT）80A（5/50ns）。 应用：USB Type-C。 Thunderbolt 3
TPD1E01B04DPYR-TP特性
暂无产品特性。
TPD1E01B04DPYR-TP应用领域
暂无应用领域。