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TPD1220-1R0
IC

DFN0603-2

可供量大可议

TPD1220-1R0

特性:低工作电压:1.0V。 超低电容:0.2pF(典型值)。 超低泄漏:nA级别。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试:空气放电±15kV, 接触放电±12kV。 IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)。 应用:手机及配件。 个人数字助理

品牌

TECH PUBLIC

封装

DFN0603-2

库存

160

货期

现货

TPD1220-1R0参数

封装DFN0603-2
品牌TECH PUBLIC(台舟)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存160

TPD1220-1R0概述

特性:低工作电压:1.0V。 超低电容:0.2pF(典型值)。 超低泄漏:nA级别。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试:空气放电±15kV, 接触放电±12kV。 IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)。 应用:手机及配件。 个人数字助理

TPD1220-1R0特性

暂无产品特性。

TPD1220-1R0应用领域

暂无应用领域。

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