TPCA8131, LQ(S
IC
SOP-8-Advance(5x6)
可供量大可议
TPCA8131, LQ(S
特性：小而薄的封装。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 12.4 mΩ（典型值）(VGS = -10 V)。 低泄漏电流：IRSS = -10 μA（最大值）(VDS = -30 V)。 增强模式：VDA = -0.8 至 -2.0 V (VDS = -10 V, ID = -0.2 mA)。 应用：锂离子二次电池电源管理开关
品牌
TOSHIBA
封装
SOP-8-Advance(5x6)
库存
2,986
货期
现货
TPCA8131, LQ(S参数
| 封装 | SOP-8-Advance(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2986 |
TPCA8131, LQ(S概述
特性：小而薄的封装。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 12.4 mΩ（典型值）(VGS = -10 V)。 低泄漏电流：IRSS = -10 μA（最大值）(VDS = -30 V)。 增强模式：VDA = -0.8 至 -2.0 V (VDS = -10 V, ID = -0.2 mA)。 应用：锂离子二次电池电源管理开关
TPCA8131, LQ(S特性
暂无产品特性。
TPCA8131, LQ(S应用领域
暂无应用领域。