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TPCA8128, L1Q(CM
IC

可供量大可议

TPCA8128, L1Q(CM

特性:小尺寸:由于采用紧凑和超薄封装。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.7mΩ(典型值)。 低泄漏电流:IPSS = -10μA 最大 (VDS = -30V)。 增强模式:Vth = -0.8 至 -2.0V (VDS = -10V, ID = -0.5mA)。 应用:锂离子电池应用。 电源管理开关应用

Brand

TOSHIBA

Package

Stock

4,997

货期

现货

TPCA8128, L1Q(CMParameters

分类场效应管(MOSFET)
库存4997
品牌TOSHIBA(东芝)
MOQ / SPQ1 / 1

TPCA8128, L1Q(CM概述

特性:小尺寸:由于采用紧凑和超薄封装。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.7mΩ(典型值)。 低泄漏电流:IPSS = -10μA 最大 (VDS = -30V)。 增强模式:Vth = -0.8 至 -2.0V (VDS = -10V, ID = -0.5mA)。 应用:锂离子电池应用。 电源管理开关应用

TPCA8128, L1Q(CM特性

暂无产品特性。

TPCA8128, L1Q(CM应用领域

暂无应用领域。

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