TPCA8123, L1Q
IC
SOP
可供量大可议
TPCA8123, L1Q
特性：小型, 薄型実装面積小。 振抗低：Rps(ON)=8.5mΩ(標) (VGS = -10V)。 漏電流低：IDS = -10μA (最大) (VDS = -60V)。 操作简单， 增强型， Vth = -2.0-3.0V(VDS = -10V, ID = -1.0mA)
品牌
TOSHIBA
封装
SOP
库存
2,024
货期
现货
TPCA8123, L1Q参数
| 封装 | SOP |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2024 |
TPCA8123, L1Q概述
特性：小型, 薄型実装面積小。 振抗低：Rps(ON)=8.5mΩ(標) (VGS = -10V)。 漏電流低：IDS = -10μA (最大) (VDS = -60V)。 操作简单， 增强型， Vth = -2.0-3.0V(VDS = -10V, ID = -1.0mA)
TPCA8123, L1Q特性
暂无产品特性。
TPCA8123, L1Q应用领域
暂无应用领域。