TPC8129, LQ(S
IC
SOP-8
可供量大可议
TPC8129, LQ(S
特性：由于采用小型薄型封装， 占用空间小。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 17 mΩ（典型值）(VGS = -10V)。 低漏电流：IDSS = -10μA（最大值）(VDS = -30V)。 增强模式：VDA = -0.8 至 -2.0V (VDS = -10V, ID = -0.2mA)。 应用：锂离子二次电池电源管理开关
品牌
TOSHIBA
封装
SOP-8
库存
115
货期
现货
TPC8129, LQ(S参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 115 |
TPC8129, LQ(S概述
特性：由于采用小型薄型封装， 占用空间小。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 17 mΩ（典型值）(VGS = -10V)。 低漏电流：IDSS = -10μA（最大值）(VDS = -30V)。 增强模式：VDA = -0.8 至 -2.0V (VDS = -10V, ID = -0.2mA)。 应用：锂离子二次电池电源管理开关
TPC8129, LQ(S特性
暂无产品特性。
TPC8129, LQ(S应用领域
暂无应用领域。