TPC8059-H-VB
IC
SO-8
可供量大可议
TPC8059-H-VB
SOP8； N—Channel沟道, 30V； 18A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
20
货期
现货
TPC8059-H-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
TPC8059-H-VB概述
SOP8； N—Channel沟道, 30V； 18A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=1~3V
TPC8059-H-VB特性
暂无产品特性。
TPC8059-H-VB应用领域
暂无应用领域。