TPC6113, LF(CM
IC
VS6-6
可供量大可议
TPC6113, LF(CM
特性：小而薄的封装， 占用空间小。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 38 mΩ（典型值）(VGS =-4.5V)。 低泄漏电流：IDSS =-10 μA(最大值)(VDS =-20 V)。 增强模式：Vth =-0.5 至-1.2V(VDS =-10 V, ID =-0.2 mA)。 应用：锂离子电池应用。 电源管理开关应用
品牌
TOSHIBA
封装
VS6-6
库存
1,887
货期
现货
TPC6113, LF(CM参数
| 封装 | VS6-6 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1887 |
TPC6113, LF(CM概述
特性：小而薄的封装， 占用空间小。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 38 mΩ（典型值）(VGS =-4.5V)。 低泄漏电流：IDSS =-10 μA(最大值)(VDS =-20 V)。 增强模式：Vth =-0.5 至-1.2V(VDS =-10 V, ID =-0.2 mA)。 应用：锂离子电池应用。 电源管理开关应用
TPC6113, LF(CM特性
暂无产品特性。
TPC6113, LF(CM应用领域
暂无应用领域。