TPB65R120M
IC
TO-263
可供量大可议
TPB65R120M
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术, 它是根据超结(SJ)原理设计的。 多外延SJ MOSFET是一款开关损耗、通信损耗和传导损耗极低的器件, 具有极高的耐用性, 这使得它尤其适用于谐振开关应用, 可提高可靠性、效率, 减轻重量并降低温度, 同时也适用于工业级应用, 如功率因数校正(PFC)、交流/直流电源转换等对AC - DC开关电源(SMPS)的要求。
品牌
无锡紫光微
封装
TO-263
库存
1
货期
现货
TPB65R120M参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | 无锡紫光微 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
TPB65R120M概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术, 它是根据超结(SJ)原理设计的。 多外延SJ MOSFET是一款开关损耗、通信损耗和传导损耗极低的器件, 具有极高的耐用性, 这使得它尤其适用于谐振开关应用, 可提高可靠性、效率, 减轻重量并降低温度, 同时也适用于工业级应用, 如功率因数校正(PFC)、交流/直流电源转换等对AC - DC开关电源(SMPS)的要求。
TPB65R120M特性
暂无产品特性。
TPB65R120M应用领域
暂无应用领域。
