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TPB65R120M
IC

TO-263

可供量大可议

TPB65R120M

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术, 它是根据超结(SJ)原理设计的。 多外延SJ MOSFET是一款开关损耗、通信损耗和传导损耗极低的器件, 具有极高的耐用性, 这使得它尤其适用于谐振开关应用, 可提高可靠性、效率, 减轻重量并降低温度, 同时也适用于工业级应用, 如功率因数校正(PFC)、交流/直流电源转换等对AC - DC开关电源(SMPS)的要求。

品牌

无锡紫光微

封装

TO-263

库存

1

货期

现货

TPB65R120M参数

封装TO-263
品牌无锡紫光微
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1

TPB65R120M概述

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术, 它是根据超结(SJ)原理设计的。 多外延SJ MOSFET是一款开关损耗、通信损耗和传导损耗极低的器件, 具有极高的耐用性, 这使得它尤其适用于谐振开关应用, 可提高可靠性、效率, 减轻重量并降低温度, 同时也适用于工业级应用, 如功率因数校正(PFC)、交流/直流电源转换等对AC - DC开关电源(SMPS)的要求。

TPB65R120M特性

暂无产品特性。

TPB65R120M应用领域

暂无应用领域。

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