TPA60R160DFD
IC
TO-220F
可供量大可议
TPA60R160DFD
超级结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术, 根据SJ原理设计。 深沟槽SJ MOSFET提供了一种极低开关、通信和传导损耗的器件, 具有高稳健性, 尤其使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和低温。
品牌
无锡紫光微
封装
TO-220F
库存
1
货期
现货
TPA60R160DFD参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | 无锡紫光微 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
TPA60R160DFD概述
超级结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术, 根据SJ原理设计。 深沟槽SJ MOSFET提供了一种极低开关、通信和传导损耗的器件, 具有高稳健性, 尤其使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和低温。
TPA60R160DFD特性
暂无产品特性。
TPA60R160DFD应用领域
暂无应用领域。
