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TPA60R160DFD
IC

TO-220F

可供量大可议

TPA60R160DFD

超级结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术, 根据SJ原理设计。 深沟槽SJ MOSFET提供了一种极低开关、通信和传导损耗的器件, 具有高稳健性, 尤其使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和低温。

品牌

无锡紫光微

封装

TO-220F

库存

1

货期

现货

TPA60R160DFD参数

封装TO-220F
品牌无锡紫光微
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1

TPA60R160DFD概述

超级结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术, 根据SJ原理设计。 深沟槽SJ MOSFET提供了一种极低开关、通信和传导损耗的器件, 具有高稳健性, 尤其使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和低温。

TPA60R160DFD特性

暂无产品特性。

TPA60R160DFD应用领域

暂无应用领域。

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