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TP65H070G4PS
IC

TO-220-3

可供量大可议

TP65H070G4PS

GAN TRANSISTOR, 650V, 29A, TO-220AB-3

品牌

RENESAS

封装

TO-220-3

库存

100

货期

现货

TP65H070G4PS参数

封装TO-220-3
品牌RENESAS(瑞萨)
MOQ / SPQ1 / 1
技术路线E-mode
耗散功率(Pd)96W
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)638pF
工作温度-55℃~+150℃
导通电阻(RDS(on))72mΩ
分类氮化镓晶体管(GaN HEMT)
库存100
类型N沟道
漏源电压(Vdss)650V
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)9nC
反向传输电容(Crss)2pF
输出电容(Coss)72pF

TP65H070G4PS概述

GAN TRANSISTOR, 650V, 29A, TO-220AB-3

TP65H070G4PS特性

暂无产品特性。

TP65H070G4PS应用领域

暂无应用领域。

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