TP65H070G4LSGB-TR-CN

FET是混合常关型氮化镓 (GaN) 场效应晶体管， 拥有市场上所有宽带隙器件中最强的栅极和最低的反向电压降。 它们允许简单的栅极驱动， 提供同类最佳的性能和出色的可靠性。