TP65H070G4LSGB-TR
IC
PQFN-8(8x8)
可供量大可议
TP65H070G4LSGB-TR
常闭氮化镓场效应晶体管， 结合高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术， 提供高可靠性和高性能
品牌
RENESAS/IDT
封装
PQFN-8(8x8)
库存
5
货期
现货
TP65H070G4LSGB-TR参数
| 封装 | PQFN-8(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | RENESAS(瑞萨)/IDT |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
TP65H070G4LSGB-TR概述
常闭氮化镓场效应晶体管， 结合高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术， 提供高可靠性和高性能
TP65H070G4LSGB-TR特性
暂无产品特性。
TP65H070G4LSGB-TR应用领域
暂无应用领域。