TP65H035G4WS
IC
TO-247
可供量大可议
TP65H035G4WS
650V氮化镓 (GaN) FET是一款常关器件， 采用了Renesas的第四代平台。 它将先进的高压GaN HEMT与低压硅MOSFET相结合， 以提供卓越的可靠性和性能。 第四代SuperGaN平台采用先进的外延和专利设计技术， 简化了可制造性， 同时通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷， 提高了相对于硅的效率。
品牌
RENESAS/IDT
封装
TO-247
库存
20
货期
现货
TP65H035G4WS参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | RENESAS(瑞萨)/IDT |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
TP65H035G4WS概述
650V氮化镓 (GaN) FET是一款常关器件， 采用了Renesas的第四代平台。 它将先进的高压GaN HEMT与低压硅MOSFET相结合， 以提供卓越的可靠性和性能。 第四代SuperGaN平台采用先进的外延和专利设计技术， 简化了可制造性， 同时通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷， 提高了相对于硅的效率。
TP65H035G4WS特性
暂无产品特性。
TP65H035G4WS应用领域
暂无应用领域。