TP2540N8-G
IC
SOT-89
可供量大可议
TP2540N8-G
TP2540 低阈值增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。 这种组合造就的器件具备双极型晶体管的功率处理能力， 以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。 作为所有 MOS 结构的特性， 该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
品牌
MICROCHIP
封装
SOT-89
库存
17
货期
现货
TP2540N8-G参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | MICROCHIP(美国微芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 17 |
TP2540N8-G概述
TP2540 低阈值增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。 这种组合造就的器件具备双极型晶体管的功率处理能力， 以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。 作为所有 MOS 结构的特性， 该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
TP2540N8-G特性
暂无产品特性。
TP2540N8-G应用领域
暂无应用领域。