TP0610K-T1-GE3
IC
SOT-23
可供量大可议
TP0610K-T1-GE3
场效应管(MOSFET) 350mW 60V 185mA 1个P沟道
品牌
VISHAY
封装
SOT-23
库存
43,430
货期
现货
TP0610K-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 23pF |
| 类型 | P沟道 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 43,430 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@15V |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
TP0610K-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 350mW 60V 185mA 1个P沟道
TP0610K-T1-GE3特性
暂无产品特性。
TP0610K-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。