TP0604N3-G

使用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺， 结合了双极晶体管的功率处理能力和 MOS 器件固有的高输入阻抗与正温度系数。 具有无热失控和热致二次击穿的特点， 非常适合需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。